Описание
П214В
Транзисторы П214В германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указан на корпусе.
Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.
Технические условия: СИ3.365.012 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора П214В:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт;
• fh21э — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц;
• Uкбо проб — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1,5 мА;
• h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 20;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом
Технические характеристики транзисторов П214, П214А, П214Б, П214В, П214Г:
| Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max |
Т max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max |
IК. И. max |
UКЭR max | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК. Т. max | h21Э | UКЭ нас. |
IКБО | IЭБО | f гp. | КШ | СК | СЭ | ||||
| А | А | В | В | B | Вт | В | мкА | мкА | МГц | дБ | пФ | пФ | °С | °С | |||
| П214 | p-n-p | 5 | — | 55 | 60 | 15 | 10 | 20…60 | 0,9 | 0,3 | 0,3 | 0,15 | — | — | — | 85 | -60…+70 |
| П214А | p-n-p | 5 | — | 55 | 60 | 15 | 10 | 50…150 | 0,9 | 0,3 | 0,3 | 0,15 | — | — | — | 85 | -60…+70 |
| П214Б | p-n-p | 5 | — | 55 | 60 | 15 | 11,5 | 20…150 | 0,9 | 1,5 | 0,3 | 0,15 | — | — | — | 85 | -60…+70 |
| П214В | p-n-p | 5 | — | 55 | 60 | 10 | 10 | >20 | 2,5 | 1,5 | 0,4 | 0,15 | — | — | — | 85 | -60…+70 |
| П214Г | p-n-p | 5 | — | 55 | 60 | 10 | 10 | — | 2,5 | 1,5 | 0,4 | 0,15 | — | — | — | 85 | -60…+70 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО— обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО— обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр — граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ — коэффициент шума транзистора.
• СК — емкость коллекторного перехода.
• СЭ — емкость коллекторного перехода.
• ТП max — максимально допустимая температура перехода.
• Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.
Отзывы
Отзывов пока нет.