Топ-100 1Т403Ж - Интернет магазин электронных компонентов (радиодетали).

1Т403Ж

31.68 

Нет в наличии

Категория:

Описание

1Т403Ж

Транзисторы 1Т403Ж германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4 г.
Технические условия: СИ3.365.023 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т403Ж:

• Структура: p-n-p
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 4 Вт;
• fmax — Максимальная частота генерации: 0,008 МГц;
• Uкбо проб — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В;
• Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 20 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1250 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мкА при 80 В;
• h21э — Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20…60 при 5В, 0,1 А;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом;
• Кш — Коэффициент шума транзистора: не нормируется

Характеристики транзисторов 1Т403А, 1Т403Б, 1Т403В, 1Т403Г, 1Т403Д, 1Т403Е, 1Т403Ж, 1Т403И:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С
max
Т
max

max
IК. И.
max
UКЭ0 max UКБ0 max UЭБ0 max РК max h21Э UКЭ
нас.
IКБО IЭБО f гp. КШ СК СЭ
А А B В B Вт В мкА мкА кГц дБ пФ пФ °С °С
1Т403А p-n-p 1,25 30 45 20 4 20…60 0,5 50 50 8 85 -60…+70
1Т403Б p-n-p 1,25 30 45 20 4 50…150 0,5 50 50 8 85 -60…+70
1Т403В p-n-p 1,25 45 60 20 5 20…60 0,5 50 50 8 85 -60…+70
1Т403Г p-n-p 1,25 45 60 20 4 50…150 0,5 50 50 8 85 -60…+70
1Т403Д p-n-p 1,25 45 60 30 4 50…150 0,5 50 50 8 85 -60…+70
1Т403Е p-n-p 1,25 45 60 20 5 >30 0,5 50 50 8 85 -60…+70
1Т403Ж p-n-p 1,25 60 80 20 4 20…60 0,5 70 70 8 85 -60…+70
1Т403И p-n-p 1,25 60 80 20 4 >30 0,5 70 70 8 85 -60…+70

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
IКБО— обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
IЭБО— обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
f гр — граничная частота коэффициента передачи тока.
КШ — коэффициент шума транзистора.
СК — емкость коллекторного перехода.
СЭ — емкость коллекторного перехода.
ТП max — максимально допустимая температура перехода.
Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.

Отзывы

Отзывов пока нет.

Только зарегистрированные клиенты, купившие данный товар, могут публиковать отзывы.