Описание
2Т606А
Транзисторы 2Т606А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 100 МГц при напряжении питания 28 В.
Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные сверхвысокочастотные транзисторы 2Т606А выпускаются в металлокерамическом корпусе с изолированными от корпуса жесткими выводами с монтажным винтом.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
Тип корпуса: КТ-4-2.
Технические условия: И93.365.012 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т606А:
| Макс. обратный ток | 1,5 мкА |
| Макс. мощность рассеивания | 2,5 Вт |
| Макс. допустимое напряжение эммитер-база Uэб | 4 В |
| Макс. допустимое напряжение коллектор-база Uкб | 65 В |
| Макс. допустимое напряжение коллектор-эмиттер Uкэ | 65 В |
| Макс. допустимый постоянный ток коллектора | 400 мА |
| Статический коэффициент передачи тока | более 15 |
| Структура | n-p-n |
| Граничная частота коэффициента передачи тока
транзистора для схемы с общим эмиттером |
не менее 350 МГц |
| Выходная мощность транзистора | не менее 0,8 Вт на частоте 400 МГц |
| Постоянная времени цепи обратной связи — не более | 10 нс |
| Ёмкость эмиттерного перехода | 10 пФ |
| Ёмкость эмиттерного перехода — не более | 27 пФ |
| Обратный ток коллектор-эмиттер: | — при Тк=39,85° С — 2,5 Вт;
— при Тк=124,85° С — 0,57 Вт. |
| Обратный ток эмиттера — не более | 0,1 мА |
| Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме | — при Тк=39,85° С — 2,5 Вт;
— при Тк=124,85° С — 0,57 Вт. |
| Тепловое сопротивление переход-корпус | 44 К/Вт |
| Температура перехода | 149,85°С |
Технические характеристики транзисторов 2Т606А, КТ606А, КТ606Б:
| Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max |
Т max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max |
IК. И. max |
UКЭR max | UКБ0 max | UЭБ0 max | UПИТ max | РК. СР. max | h21Э | UКЭ нас. |
IКЭR | IЭБО | f гp. | PВЫХ | КУР | ||||
| А | А | В | В | В | В | Вт | В | мА | мА | МГц | Вт | дБ | °С | °С | |||
| 2Т606А | n-p-n | 0,4 | 0,8 | 65 | — | 4 | 28 | 2,5 | — | <1 | <1 | <0,1 | >350 | 0,8 | >2,5 | 150 | -60…+125 |
| КТ606А | n-p-n | 0,4 | 0,8 | 65 | — | 4 | 28 | 2,5 | — | <1 | <1,5 | <0,3 | >350 | 0,8 | >2,5 | 120 | -40…+85 |
| КТ606Б | n-p-n | 0,4 | 0,8 | 65 | — | 4 | 28 | 2,5 | — | <1 | <1,5 | <0,3 | >350 | 0,6 | >2,5 | 120 | -40…+85 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max — максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю.
• UКБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• UПИТ max — максимально допустимое напряжение питания.
• РК.СР. max — максимально допустимая средняя мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКЭR — обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
• IКБО— обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО— обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр — граничная частота коэффициента передачи тока.
• PВЫХ — выходная мощность транзистора.
• КУР — коэффициент усиления по мощности транзистора.
• ТП max — максимально допустимая температура перехода.
• Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.
Отзывы
Отзывов пока нет.