Описание
2Т704А
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных высоковольтных модуляторах.
Транзисторы 2Т704А выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и винтом.
Тип прибора указывается на корпусе.
Вывод эмиттера маркируется точкой.
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-10.
Технические условия: ЖК3.365.245 ТУ.
Технические характеристики транзистора 2Т704А:
| Структура транзистора | n-p-n |
| Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом | 15 Вт; |
| fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | не менее 3 мГц |
| Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер | 500 В |
| Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | 4 В |
| Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора | 2,5 А |
| Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер | 5 мА (1000В) |
| h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером | 10… 100 |
| Ск — Емкость коллекторного переход | не более 50 пФ |
| Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | не более 2,5 Ом |
Технические характеристики транзисторов 2Т704А, 2Т704Б:
| Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max |
Т max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max |
IК. И. max |
UКЭR max (UКЭ0 max) |
UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max (РК. Т. max) |
h21Э | UКЭ нас. |
IКБО | IЭБО | f гp. | КШ | СК | СЭ | ||||
| А | А | В | В | В | Вт | В | мА | мА | МГц | дБ | пФ | пФ | °С | °С | |||
| 2Т704А | n-p-n | 2,5 | 4 | 500 | — | 4 | 15 | 10…100 | 5 | 5 | 100 | 3 | — | — | — | 125 | -60…+125 |
| 2Т704Б | n-p-n | 2,5 | 4 | 400 | — | 4 | 15 | 10…100 | 5 | 5 | 100 | 3 | — | — | — | 125 | -60…+125 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО— обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО— обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр — граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ — коэффициент шума транзистора.
• СК — емкость коллекторного перехода.
• СЭ — емкость коллекторного перехода.
• ТП max — максимально допустимая температура перехода.
• Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.
Отзывы
Отзывов пока нет.