Описание

2Т704А

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных высоковольтных модуляторах.
Транзисторы 2Т704А выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и винтом.
Тип прибора указывается на корпусе.
Вывод эмиттера маркируется точкой.
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-10.
Технические условия: ЖК3.365.245 ТУ.

Технические характеристики транзистора 2Т704А:

Структура транзистора	n-p-n
Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом	15 Вт;
fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	не менее 3 мГц
Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер	500 В
Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	4 В
Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора	2,5 А
Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер	5 мА (1000В)
h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером	10… 100
Ск — Емкость коллекторного переход	не более 50 пФ
Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	не более 2,5 Ом

Технические характеристики транзисторов 2Т704А, 2Т704Б:

Тип транзистора	Структура	Предельные значения параметров при Тп=25°С						Значения параметров при Тп=25°С								TП max	Т max
		IК max	IК. И. max	UКЭR max (UКЭ0 max)	UКБ0 max	UЭБ0 max	РК max (РК. Т. max)	h21Э	UКЭ нас.	IКБО	IЭБО	f гp.	КШ	СК	СЭ	TП max	Т max
		А	А	В	В	В	Вт		В	мА	мА	МГц	дБ	пФ	пФ	°С	°С
2Т704А	n-p-n	2,5	4	500	—	4	15	10…100	5	5	100	3	—	—	—	125	-60…+125
2Т704Б	n-p-n	2,5	4	400	—	4	15	10…100	5	5	100	3	—	—	—	125	-60…+125

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО— обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО— обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр — граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ — коэффициент шума транзистора.
• СК — емкость коллекторного перехода.
• СЭ — емкость коллекторного перехода.
• ТП max — максимально допустимая температура перехода.
• Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.