Описание
П307В
Транзисторы П307В кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные.
Предназначены для применения в схемах переключения и преобразователей постоянного напряжения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Технические условия: ЖК3.365.059 ТУ.
Технические характеристики транзисторов П307, П307А, П307Б, П307В, П307Г:
| Тип транзистора | Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК. макс. | IК. и. макс. | UКБО макс. | UКЭR макс. | UЭБО макс. | РК. макс | h21э | UКБ | IЭ | UКЭ нас. | IКБО | fгp. | ||
| мА | мА | В | B | В | мВт | В | мА | В | мкА | МГц | |||
| П307 | n-p-n | 30 | 120 | 80 | 80 | 3 | 250 | 16…50 | 20 | 10 | — | 3 | 20 |
| П307А | n-p-n | 30 | 120 | 80 | 80 | 3 | 250 | 30…90 | 20 | 10 | — | 3 | 20 |
| П307Б | n-p-n | 15 | 120 | 80 | 80 | 3 | 250 | 50…150 | 20 | 10 | — | 3 | 20 |
| П307В | n-p-n | 30 | 120 | 60 | 60 | 3 | 250 | 50…150 | 20 | 10 | — | 3 | 20 |
| П307Г | n-p-n | 15 | 120 | 80 | 80 | 3 | 250 | 16…50 | 20 | 10 | — | 3 | 20 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• Iк. макс — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• Iк. и. макс — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• Uкбо макс — максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера.
• UкэR макс — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора.
• Uэбо макс — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• Рк. макс — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э — коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• Uкб — напряжение коллектор-база транзистора.
• Iэ — ток эмиттера транзистора.
• Uкэ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• Iкбо — обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• fгр— граничная частота коэффициента передачи тока.
Отзывы
Отзывов пока нет.