Транзистор BUZ11A, являющийся мощным MOSFET транзистором, отличается высокой эффективностью и превосходной производительностью. Этот компонент обладает высоким коммутационным сопротивлением и низким сопротивлением замыкания. Благодаря своей надежности и прочной конструкции, BUZ11A является незаменимым компонентом в современной электронике.

Основные технические параметры транзистора:

• Напряжение сток-исток (V_DS): до 50 В.
• Напряжение затвор-исток (V_GS): ±20 В.
• Максимальный допустимый ток стока (I_D): до 30 А.
• Максимальная мощность рассеяния (P_D): до 75 Вт.
• Омическое сопротивление сток-исток при нулевом напряжении затвора (R_DS(ON)): 0.07 Ом.
• Температурный диапазон (T_J): от -55°C до +175°C.
• Тип корпуса: TO-220.

Примеры применения транзистора:

• Источники питания: Транзистор может использоваться в источниках питания для управления высокими токами и напряжениями, обеспечивая стабильное электропитание различных устройств.
• Усилители мощности: В усилителях мощности для аудио- и видеоаппаратуры BUZ11A может применяться для коммутации и управления током, обеспечивая высокое качество звука и изображения.
• Коммутационные устройства: Из-за своего высокого коммутационного сопротивления BUZ11A может использоваться в коммутационных устройствах, таких как транзисторные ключи и реле, для быстрого и эффективного управления электрическими цепями.
• Импульсные блоки питания: Транзистор применяется в схемах импульсных блоков питания для коммутации и управления импульсами напряжения и тока, обеспечивая эффективную работу питающих устройств.
• Электронные регуляторы: В регуляторах напряжения и тока транзистор может использоваться для точного управления потоком энергии.