Описание
КТ361Г
Транзисторы КТ361Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-13.
Технические условия: ФЫ0.336.201 ТУ.
Характеристики транзисторов КТ361А, КТ361Б, КТ361В, КТ361Г, КТ361Д, КТ361Е, КТ361Ж, КТ361И, КТ361К:
| Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | Т | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max |
IК. И. max |
UКЭR max (UКЭ0 max) |
UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max | h21Э, (h21э) |
UКБ (UКЭ) |
IЭ (IК) |
UКЭ нас. |
IКБО | fгp. (f h21) |
КШ | СК | |||
| мА | мА | B | В | B | мВт | В | мА | В | мкА | МГц | дБ | пФ | °С | |||
| КТ361А | p-n-p | 50 | — | 25 | 25 | 4 | 150 | 20…90 | 10 | 1 | — | 1 | 250 | — | 9 | -60…+100 |
| КТ361Б | p-n-p | 50 | — | 20 | 20 | 4 | 150 | 50…350 | 10 | 1 | — | 1 | 250 | — | 9 | -60…+100 |
| КТ361В | p-n-p | 50 | — | 40 | 40 | 4 | 150 | 40…160 | 10 | 1 | — | 1 | 250 | — | 7 | -60…+100 |
| КТ361Г | p-n-p | 50 | — | 35 | 35 | 4 | 150 | 50…350 | 10 | 1 | — | 1 | 250 | — | 7 | -60…+100 |
| КТ361Д | p-n-p | 50 | — | 40 | 40 | 4 | 150 | 20…90 | 10 | 1 | — | 1 | 250 | — | 7 | -60…+100 |
| КТ361Е | p-n-p | 50 | — | 35 | 35 | 4 | 150 | 50…350 | 10 | 1 | — | 1 | 250 | — | 7 | -60…+100 |
| КТ361Ж | p-n-p | 50 | — | 10 | 10 | 4 | 150 | 50…350 | 10 | 1 | — | 1 | 250 | — | 9 | -60…+100 |
| КТ361И | p-n-p | 50 | — | 15 | 15 | 4 | 150 | 250 | 10 | 1 | — | 1 | 250 | — | 9 | -60…+100 |
| КТ361К | p-n-p | 50 | — | 60 | 60 | 4 | 150 | 50…350 | 10 | 1 | — | 1 | 250 | — | 7 | -60…+100 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. И. max — максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h21Э — коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• UКБ — постоянное напряжение коллектор-база транзистора.
• UКЭ — постоянное напряжение коллектор-эмиттер транзистора.
• IЭ — постоянный ток эмиттера транзистора.
• IК — постоянный ток коллектора транзистора.
• UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБ0 — обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• fгр — граничная частота коэффициента передачи тока.
• fh21 — предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
• КШ — коэффициент шума транзистора.
• СК — емкость коллекторного перехода.
• Т — максимально допустимая температура окружающей среды.
Отзывы
Отзывов пока нет.