Описание

КТ312Б

Транзисторы КТ312Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях и генераторах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-1.
Технические условия: аА0.336.674 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ312Б:

• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 225 мВт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 120 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 35 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА;
• h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 25…100;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 5 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 500 пс

Технические характеристики транзисторов КТ312А, КТ312Б, КТ312В:

Тип транзистора	Структура	Предельные значения параметров при Тп=25°С						Значения параметров при Тп=25°С							TП max	Т max
		IК max	IК. И. max	UКЭR max (UКЭ0 max)	UКБ0 max	UЭБ0 max	РК max (РК. И. max)	h21Э, (h21э)	UКЭ нас.	IКБО	f гp. (f h21)	КШ	СК	СЭ	TП max	Т max
		мА	мА	В	B	В	мВт		В	мкА	МГц	дБ	пФ	пФ	°С	°С
КТ312А	n-p-n	30	60	20	20	4	225	10…100	0,8	10	80	—	5	20	115	-40…+85
КТ312Б	n-p-n	30	60	35	35	4	225	25…100	0,8	10	120	—	5	20	115	-40…+85
КТ312В	n-p-n	30	60	20	20	4	225	50…280	0,8	10	120	—	5	20	115	-40…+85

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

• IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. И. max — максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h21Э — коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО — обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• f гр — граничная частота коэффициента передачи тока.
• f h21 — предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
• КШ — коэффициент шума транзистора.
• СК — емкость коллекторного перехода.
• СЭ — емкость коллекторного перехода.
• ТП max — максимально допустимая температура перехода.
• Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.