Описание
КТ3107Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.
Предназначены для применения в усилителях, генераторах низкой и высокой частот, переключающих устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26.
Технические условия: аА0.336.170 ТУ/04.
Технические характеристики транзисторов КТ3107:
Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | Т | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IК max |
IК. И. max |
UКЭ0 max | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max (РК. И. max) |
h21Э, (h21э) |
UКБ (UКЭ) |
IЭ (IК) |
UКЭ нас. |
IКБО | fгp. (f h21) |
КШ | СК | |||
мА | мА | В | B | В | мВт | B | мА | В | мкА | МГц | дБ | пФ | °С | |||
КТ3107А | p-n-p | 100 | 200 | 45 | 50 | 5 | 300 | 70…140 | 5 | 2 | 0,5 | 0,1 | 200 | 10 | — | -60…+125 |
КТ3107Б | p-n-p | 100 | 200 | 45 | 50 | 5 | 300 | 120…220 | 5 | 2 | 0,5 | 0,1 | 200 | 10 | — | -60…+125 |
КТ3107В | p-n-p | 100 | 200 | 25 | 30 | 5 | 300 | 70…140 | 5 | 2 | 0,5 | 0,1 | 200 | 10 | — | -60…+125 |
КТ3107Г | p-n-p | 100 | 200 | 25 | 30 | 5 | 300 | 120…220 | 5 | 2 | 0,5 | 0,1 | 200 | 10 | — | -60…+125 |
КТ3107Д | p-n-p | 100 | 200 | 25 | 30 | 5 | 300 | 180…460 | 5 | 2 | 0,5 | 0,1 | 200 | 10 | — | -60…+125 |
КТ3107Е | p-n-p | 100 | 200 | 20 | 25 | 5 | 300 | 120…220 | 5 | 2 | 0,5 | 0,1 | 200 | 4 | — | -60…+125 |
КТ3107Ж | p-n-p | 100 | 200 | 20 | 25 | 5 | 300 | 180…460 | 5 | 2 | 0,5 | 0,1 | 200 | 4 | — | -60…+125 |
КТ3107И | p-n-p | 100 | 200 | 25 | 50 | 5 | 300 | 180…460 | 5 | 2 | 0,5 | 0,1 | 200 | 10 | — | -60…+125 |
КТ3107К | p-n-p | 100 | 200 | 25 | 30 | 5 | 300 | 380…800 | 5 | 2 | 0,5 | 0,1 | 200 | 10 | — | -60…+125 |
КТ3107Л | p-n-p | 100 | 200 | 20 | 25 | 5 | 300 | 380…800 | 5 | 2 | 0,5 | 0,1 | 200 | 4 | — | -60…+125 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. И. max — максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h21Э — коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• UКБ — постоянное напряжение коллектор-база транзистора.
• UКЭ — постоянное напряжение коллектор-эмиттер транзистора.
• IЭ — постоянный ток эмиттера транзистора.
• IК — постоянный ток коллектора транзистора.
• UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБ0 — обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• fгр — граничная частота коэффициента передачи тока.
• fh21 — предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
• КШ — коэффициент шума транзистора.
• Т — максимально допустимая температура окружающей среды.
Отзывы
Отзывов пока нет.