Описание

КТ814Б

Транзистор кремниевый, мощный, низкочастотный, структуры — p-n-p. Предназначен для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора около 0,7 гр.

Основные параметры КТ814Б

Граничная частота коэффициента передачи тока при токе эмиттера 0.03 A, напряжении коллектор-эмиттер 5 V 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при напряжении коллектор-база 2 V, токе эмиттера 0.15 A 40 A
Граничное напряжение при длительности импульса 300 uS, скважности 100, токе эмиттера 50 mA 40 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 0.5 A, токе эмиттера 0.05 A 0.6 V
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 0.5 A, токе базы 0.05 A 1.2 V
Ёмкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 5 V, частоте 465 kHz 60 pF
Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 40 V, температуре коллектора 298 K 50 μA

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение база-эмиттер 5 V
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении база-эмиттер 100 Ohm 50 V
Постоянный ток коллектора 1.5 A
Импульсный ток коллектора при длительности импульса 10 mS, скважности 100 3 A
Постоянный ток коллектора в режиме усиления 20 mA
Постоянный ток базы 0.5 A
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом при температуре коллектора 298 K 10 W
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода при температуре 298 K 1 W
Температура перехода 25 °С
Температура окружающей среды -40 … 100 °С