Описание

ГТ309Е

ГТ309А, ГТ309Б, ГТ309В, ГТ309Г, ГТ309Д, ГТ309Е — германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, усилительные высокочастотные маломощные. Предназначены для применения в усилителях ВЧ.

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 5В, Iэ = 5 мА не менее:

• ГТ309А, ГТ309Б …. 120 МГц
• ГТ309В, ГТ309Г …. 80 МГц
• ГТ309Д, ГТ309Е …. 40 МГц

Модуль коэффициента передачи тока при Uкэ = 5В, Iэ = 5 мА, f = 20 МГц не менее:

• ГТ309А, ГТ309Б …. 6
• ГТ309В, ГТ309Г …. 4
• ГТ309Д, ГТ309Е …. 2

Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб = 5В, Iэ = 5 мА, f = 5 МГц не более:

• ГТ309А, ГТ309Б …. 500 пс
• ГТ309В, ГТ309Г , ГТ309Д, ГТ309Е ….1000 пс

Статически коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ=5 В, Iэ=5 мА, Т = 293 К:

• ГТ309А, ГТ309В, ГТ309Д …. 20-70
• ГТ309Б, ГТ309Г, ГТ309Е …. 60-180

Статически коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ=5 В, Iэ=5 мА, Т = 328 К:

• ГТ309А, ГТ309В, ГТ309Д …. 20-140
• ГТ309Б, ГТ309Г, ГТ309Е …. 60-380

Статически коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ=5 В, Iэ=5 мА, Т = 253 К:

• ГТ309А, ГТ309В, ГТ309Д …. 16-70
• ГТ309Б, ГТ309Г, ГТ309Е …. 30-180

Входное сопротивление в схеме с общей базой при Uкб = 5 В, Iэ=1 мА не более …. 38 Ом

Выходная проводимость в схеме с общей базой при Uкб = 5 В, Iэ=1 мА не более 5 мкСм

Коэффициент шума при Uкб = 5 В, Iэ=1 мА, f = 1,6 МГц для ГТ309Б, ГТ309Г не более 6 дБ

Емкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В,  f = 5 МГц не более 10 пФ

Обратный ток коллектора  при Uкб = 5 В, Т = 293 К … 5 мкА

Обратный ток коллектора  при Uкб = 5 В, Т = 328 К … 120 мкА

Постоянная рассеивающая мощность при Т = 293 К …. 50 мВт и 15 мВт при Т = 328 К