Описание
ГТ322В
Транзисторы ГТ322В германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в усилителях промежуточной и высокой частот.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Корпус транзистора электрически соединен с дополнительным (четвертым) выводом и может быть использован в качестве экрана.
Выводы эмиттера, базы и коллектора электрически изолированы от корпуса транзистора.
- Структура p-n-p
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 25 В
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 5 В
- Mаксимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 10 мА
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0,05 Вт
- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 20…120
- Обратный ток коллектора 4 мкА
- Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером 50 МГц
- Коэффициент шума биполярного транзистора 4 дБ
Отзывы
Отзывов пока нет.