Описание
ГТ402А
Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами в двух вариантах.
Тип прибора указывается на корпусе.
Основные технические характеристики транзистора ГТ402А:
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 400 мВт;
• fh21б — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц;
• Uкэr проб — Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 25 В при 0,2 кОм;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 500 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 20 мкА;
• h21э — Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 30…80
Технические характеристики транзисторов ГТ402А, ГТ402Б, ГТ402В, ГТ402Г:
| Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max |
Т max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max |
IК. И. max |
UКЭR max | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max | h21Э | UКЭ нас. |
IКБО | IЭБО | f гp. | КШ | СК | СЭ | ||||
| А | А | В | В | В | Вт | В | мкА | мкА | МГц | дБ | пФ | пФ | °С | °С | |||
| ГТ402А | p-n-p | 0,5 | — | 25 | — | — | 0,3 | 30…80 | — | 20 | — | 1 | — | — | — | 85 | -40…+55 |
| ГТ402Б | p-n-p | 0,5 | — | 25 | — | — | 0,3 | 60…150 | — | 20 | — | 1 | — | — | — | 85 | -40…+55 |
| ГТ402В | p-n-p | 0,5 | — | 40 | — | — | 0,3 | 30…80 | — | 20 | — | 1 | — | — | — | 85 | -40…+55 |
| ГТ402Г | p-n-p | 0,5 | — | 40 | — | — | 0,3 | 60…150 | — | 20 | — | 1 | — | — | — | 85 | -40…+55 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО— обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО— обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр — граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ — коэффициент шума транзистора.
• СК — емкость коллекторного перехода.
• СЭ — емкость коллекторного перехода.
• ТП max — максимально допустимая температура перехода.
• Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.
Отзывы
Отзывов пока нет.