Описание
КР198НТ1Б
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы КР198 НТ1Б представляют собой матрицу n-p-n транзисторов.
Содержат 5 интегральных элементов.
Электрические параметры КР198НТ1Б
|
Параметры |
Условия | КР198НТ1Б |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | при Iк = 3 мА, IБ = 0,5 мА, Т = +25 °С |
не более 1 В |
|
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер |
при Iк = 3 мА, IБ = 0,5 мА, Т = +25 °С | не более 0,7 В |
| Обратный ток коллектора | при UКБ = 6 В, Т = +25 °С |
не более 0,04 мкА |
|
Статический коэффициент передачи тока в |
при Uкэ = 3 В, Iэ = 0,5 мА, Т = +25 °С | 60…250 |
| Разброс значений статического коэффициента передачи тока дифференциальной пары в микросхемах КР198 НТ1Б |
не более 15% |
|
|
Разброс прямых напряжений база—эмиттер |
не более 4 мВ |
Предельно допустимые режимы эксплуатации
|
Параметры |
Условия | КР198НТ1Б |
| Постоянное напряжение коллектор—база | ||
|
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер |
15 В | |
| Обратное напряжение коллектор — эмиттер |
15 В |
|
|
Обратное напряжение база— эмиттер |
4 В | |
| Постоянный ток коллектор |
10 мА |
|
|
Постоянный ток коллектора в режиме насыщения |
30 мА | |
| Постоянная рассеиваемая мощность в диапазоне температур окружающей среды | Т = -45…+85 °С одним транзистором |
20 мВт |
|
Т = -45…+85 °С матрицей |
100 мВт | |
| Температура окружающей среды |
-45…+85°С |
Отзывы
Отзывов пока нет.