Описание
КТ312В
Транзисторы КТ312В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях и генераторах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-1.
Технические условия: аА0.336.674 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ312В:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 225 мВт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 120 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА;
h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 50…280;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 5 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 500 пс
Технические характеристики транзисторов КТ312А, КТ312Б, КТ312В:
| Тип
транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП
max |
Т
max |
|||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК
max |
IК. И.
max |
UКЭR max
(UКЭ0 max) |
UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max
(РК. И. max) |
h21Э,
(h21э) |
UКЭ
нас. |
IКБО | f гp.
(f h21) |
КШ | СК | СЭ | ||||
| мА | мА | В | В | B | мВт | В | мкА | МГц | дБ | пФ | пФ | °С | °С | |||
| КТ312А | n-p-n | 30 | 60 | 20 | 20 | 4 | 225 | 10…100 | 0,8 | 10 | 80 | — | 5 | 20 | 115 | -40…+85 |
| КТ312Б | n-p-n | 30 | 60 | 35 | 35 | 4 | 225 | 25…100 | 0,8 | 10 | 120 | — | 5 | 20 | 115 | -40…+85 |
| КТ312В | n-p-n | 30 | 60 | 20 | 20 | 4 | 225 | 50…280 | 0,8 | 10 | 120 | — | 5 | 20 | 115 | -40…+85 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. И. max — максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h21Э — коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО — обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• f гр — граничная частота коэффициента передачи тока.
• f h21 — предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
• КШ — коэффициент шума транзистора.
• СК — емкость коллекторного перехода.
• СЭ — емкость коллекторного перехода.
• ТП max — максимально допустимая температура перехода.
• Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.
Отзывы
Отзывов пока нет.