Описание

КТ358А

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний
Структура полупроводникового перехода: npn
Pc: 100mW; Ucb: 15V; Uce: 15V; Ueb: 4V; Ic: 30mA; Tj: 150°C; Ft: 80MHz; Cc: 5; Hfe: 10/100
Производитель: Россия
Сфера применения: RF, Low power