Описание
КТ502Д
Транзисторы КТ502Д кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26.
Технические условия: аА0.336.182 ТУ/02.
Технические характеристики транзисторов КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е:
| Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max |
Т max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max |
IК. И. max |
UКЭR max | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max | h21Э | UКЭ нас. |
IКБО | IЭБО | IКЭR | f гp. | СК | СЭ | ||||
| А | А | В | В | B | Вт | В | мкА | мкA | мкА | МГц | пФ | пФ | °С | °С | |||
| КТ502А | p-n-p | 0,15 | 0,35 | 25 | 40 | 5 | 0,35 | 40…120 | <0,6 | <1 | — | — | >5 | <50 | — | 125 | -40…+85 |
| КТ502Б | p-n-p | 0,15 | 0,35 | 25 | 40 | 5 | 0,35 | 80…240 | <0,6 | <1 | — | — | >5 | <50 | — | 125 | -40…+85 |
| КТ502В | p-n-p | 0,15 | 0,35 | 40 | 60 | 5 | 0,35 | 40…120 | <0,6 | <1 | — | — | >5 | <50 | — | 125 | -40…+85 |
| КТ502Г | p-n-p | 0,15 | 0,35 | 40 | 60 | 5 | 0,35 | 80…240 | <0,6 | <1 | — | — | >5 | <50 | — | 125 | -40…+85 |
| КТ502Д | p-n-p | 0,15 | 0,35 | 60 | 80 | 5 | 0,35 | 40…120 | <0,6 | <1 | — | — | >5 | <50 | — | 125 | -40…+85 |
| КТ502Е | p-n-p | 0,15 | 0,35 | 80 | 90 | 5 | 0,35 | 40…120 | <0,6 | <1 | — | — | >5 | <50 | — | 125 | -40…+85 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО— обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО— обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR — обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
• f гр — граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК — емкость коллекторного перехода.
• СЭ — емкость коллекторного перехода.
• ТП max — максимально допустимая температура перехода.
• Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.
Отзывы
Отзывов пока нет.