Описание

КТ602БМ

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n.
Предназначены для генерирования и усиления сигналов.
Транзисторы КТ602АМ, КТ602БМ выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзисторов не более 1 г.
Тип корпуса: КТ-27-2.
Технические условия: ЩБ3.365.037 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ602БМ:

• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,85 Вт;
• Рк и max — Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 2,8 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 150 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 120 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 75 мА;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 70 мкА;
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 50…220;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 4 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4 Ом;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 300 пс