Описание
КТ8101А
Транзисторы КТ8101А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в оконечных каскадах усилителей звуковой частоты, стабилизаторах напряжения, преобразователях.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. ип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: КТ-43 (ТО-218).
Технические условия: АДБК.432150.083 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ8101А:
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 2 Вт;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 150 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 10 мГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 200 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 6 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 16 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 25 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (200В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 1000 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,3 Ом
Технические характеристики транзисторов КТ8101А, КТ8101Б:
| Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max |
Т max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max |
IК. И. max |
UКЭR max (UКЭ0 max) |
UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max (РК. Т. max) |
h21Э | UКЭ нас. |
IКБО | IЭБО | IКЭR | f гp. | СК | СЭ | ||||
| А | А | В | В | В | Вт | В | мА | мА | мА | МГц | пФ | пФ | °С | °С | |||
| КТ8101А | n-p-n | 16 | 25 | 200 | 200 | 6 | 2 (150) | >20 | <2 | <1 | <3 | — | >10 | <1000 | — | 150 | -60…+125 |
| КТ8101Б | n-p-n | 16 | 25 | 160 | 160 | 6 | 2 (150) | >20 | <2 | <1 | <3 | — | >10 | <1000 | — | 150 | -60…+125 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО— обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО— обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR — обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• f гр — граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК — емкость коллекторного перехода.
• СЭ — емкость коллекторного перехода.
• ТП max — максимально допустимая температура перехода.
• Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.
Отзывы
Отзывов пока нет.