Топ-100 КТ812Б - Интернет магазин электронных компонентов (радиодетали).

КТ812Б

99.00 

В наличии

Категория:

Описание

КТ812Б

Транзисторы КТ812Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных и переключательных устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-9.
Технические условия: аА0.336.052 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ812Б:

• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 300 В (0,1кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 12 А;
• Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 5 мА (700В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 4;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом

Технические характеристики транзисторов КТ812А, КТ812Б, КТ812В:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С
max
Т
max

max
IК. И.
max
UКЭR max
(UКЭ0 max)
UКБ0 max UЭБ0 max РК max
(РК. Т. max)
h21Э UКЭ
нас.
IКБО IЭБО f гp. КШ СК СЭ
А А В В B Вт В мА мА МГц дБ пФ пФ °С °С
КТ812А n-p-n 8 12 400 7 50 >4 <2,5 5 150 >3 <100 150 -40…+85
КТ812Б n-p-n 8 12 300 7 50 >4 <2,5 5 150 >3 <100 150 -40…+85
КТ812В n-p-n 8 12 200 7 50 >10 <2,5 5 150 >3 <100 150 -40…+85

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
РК. Т. max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
IКБО— обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
IЭБО— обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
f гр — граничная частота коэффициента передачи тока.
КШ — коэффициент шума транзистора.
СК — емкость коллекторного перехода.
СЭ — емкость коллекторного перехода.
ТП max — максимально допустимая температура перехода.
Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.

Детали

Материал

Золото

Отзывы

Отзывов пока нет.

Только зарегистрированные клиенты, купившие данный товар, могут публиковать отзывы.