Описание

КТ816Б

Транзисторы КТ816Б кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТ-27-2 (ТО-126).
Технические условия: аА0.336.186 ТУ/02.

Основные технические характеристики транзистора КТ816Б:

• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 45 В (1кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 6 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА (25В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,6 Ом