Топ-100 КТ837Ф - Интернет магазин электронных компонентов (радиодетали).

КТ837Ф

30.36 

Нет в наличии

Категория:

Описание

КТ837Ф

Транзисторы КТ837Ф кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: КТ-28 (ТО-220).
Технические условия: аА0.336.403 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ837Ф:

• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 450 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА;
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 50… 150;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом

Характеристики транзисторов КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н, КТ837П, КТ837Р, КТ837С, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф, КТ837Х:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С
max
Т
max

max
IК. И.
max
UКЭR max
(UКЭ0 max)
UКБ0 max UЭБ0 max РК max
(РК. Т. max)
h21Э UКЭ
нас.
IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ
А А В В B Вт В мА мA мА МГц пФ пФ °С °С
КТ837А p-n-p 7,5 70 80 15 1 (30) 10…40 <2,5 <0,15 <0,3 <10 >1 125 -60…+100
КТ837Б p-n-p 7,5 70 80 15 1 (30) 20…80 <2,5 <0,15 <0,3 <10 >1 125 -60…+100
КТ837В p-n-p 7,5 70 80 15 1 (30) 50…150 <2,5 <0,15 <0,3 <10 >1 125 -60…+100
КТ837Г p-n-p 7,5 55 60 15 1 (30) 10…40 <0,9 <0,15 <0,3 <10 >1 125 -60…+100
КТ837Д p-n-p 7,5 55 60 15 1 (30) 20…80 <0,9 <0,15 <0,3 <10 >1 125 -60…+100
КТ837Е p-n-p 7,5 55 60 15 1 (30) 50…150 <0,9 <0,15 <0,3 <10 >1 125 -60…+100
КТ837Ж p-n-p 7,5 40 45 15 1 (30) 10…40 <0,5 <0,15 <0,3 <10 >1 125 -60…+100
КТ837И p-n-p 7,5 40 45 15 1 (30) 20…80 <0,5 <0,15 <0,3 <10 >1 125 -60…+100
КТ837К p-n-p 7,5 40 45 15 1 (30) 50…150 <0,5 <0,15 <0,3 <10 >1 125 -60…+100
КТ837Л p-n-p 7,5 70 80 5 1 (30) 10…40 <2,5 <0,15 <0,3 <10 >1 125 -60…+100
КТ837М p-n-p 7,5 70 80 5 1 (30) 20…80 <2,5 <0,15 <0,3 <10 >1 125 -60…+100
КТ837Н p-n-p 7,5 70 80 5 1 (30) 50…150 <2,5 <0,15 <0,3 <10 >1 125 -60…+100
КТ837П p-n-p 7,5 55 60 5 1 (30) 10…40 <0,9 <0,15 <0,3 <10 >1 125 -60…+100
КТ837Р p-n-p 7,5 55 60 5 1 (30) 20…80 <0,9 <0,15 <0,3 <10 >1 125 -60…+100
КТ837С p-n-p 7,5 55 60 5 1 (30) 50…150 <0,9 <0,15 <0,3 <10 >1 125 -60…+100
КТ837Т p-n-p 7,5 40 45 5 1 (30) 10…40 <0,5 <0,15 <0,3 <10 >1 125 -60…+100
КТ837У p-n-p 7,5 40 45 5 1 (30) 20…80 <0,5 <0,15 <0,3 <10 >1 125 -60…+100
КТ837Ф p-n-p 7,5 40 45 5 1 (30) 50…150 <0,5 <0,15 <0,3 <10 >1 125 -60…+100
КТ837Х p-n-p 7,5 180 180 5 1 (30) >15 <0,5 <0,15 <0,3 <10 >1 125 -60…+100

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
РК. Т. max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
IКБО— обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
IЭБО— обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
IКЭR — обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
f гр — граничная частота коэффициента передачи тока.
СК — емкость коллекторного перехода.
СЭ — емкость коллекторного перехода.
ТП max — максимально допустимая температура перехода.
Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.

Отзывы

Отзывов пока нет.

Только зарегистрированные клиенты, купившие данный товар, могут публиковать отзывы.