Описание
МП39
Транзисторы германиевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным МП39 и нормированным на частоте 1 кГц МП39 коэффициентом шума.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Технические условия: аА0.336.635ТУ.
Основные технические характеристики транзистора МП39:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fh21б — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 0,5 МГц;
• Uкэr проб — Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В;
• Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 150 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 15 мкА;
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 12;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ;
• Кш — Коэффициент шума транзистора: не более 12 дБ на частоте 1 кГц
Технические характеристики транзисторов МП39, МП39Б:
| Тип транзистора | Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК. макс. | IК. и. макс. | UКЭR макс
(UКЭО макс.) |
UЭБО макс. | РК. макс.
(РК.и. макс) |
h21Э
(h21э) |
UКБ
(UКЭ) |
IЭ
(IК) |
UКЭ нас. | IКБО | fгp.
(fh21) |
||
| мА | мА | В | В | мВт | В | мА | В | мкА | МГц | |||
| МП39 | p-n-p | 30 | 150 | 15 | 10 | 150 | 12 | 5 | 1 | — | 15 | 0,5 |
| МП39Б | p-n-p | 30 | 150 | 15 | 10 | 150 | 20…60 | 5 | 1 | — | 15 | 0,5 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• Iк. макс — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• Iк. и. макс — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UкэR. макс — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора.
• Uкэо. макс — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.
• Uэбо. макс — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• Рк. макс — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• Рк. и. макс — максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h21Э — коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• Uкб — напряжение коллектор-база транзистора.
• UкэR. макс — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора.
• Iэ — ток эмиттера транзистора.
• Iк — постоянный ток коллектора транзистора.
• Uкэ. нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• Iкбо — обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• fгр— граничная частота коэффициента передачи тока.
• fh21 — предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
Отзывы
Отзывов пока нет.