Описание
М2000НМ-9 Ш4х4
Ферритовый Ш(Е)-образный сердечник М2000НМ-9 Ш4х4.
Ш-образные сердечники применяются в согласующих, входных и переходных трансформаторах различного назначения.
Эти сердечники выпускаются двух типов — с зазором и без него. Зазор вводится для снижения влияния подмагничивающего поля, он образуется за счет уменьшения высоты среднего стержня сердечника. Применение: в трансформаторах статических преобразователей постоянного напряжения, строчных трансформаторах и др РЭА в диапазоне 1+100 кГц.
Основные параметры М2000НМ-9 Ш4х4:
Функциональная группа | Магнитомягкие материалы |
Функциональный тип | ферритовый Ш(Е)-образный сердечник |
Фактическая маркировка | без маркировки |
Габаритные размеры L*W*H | 24х12х6х6 |
Высота корпуса | 5 mm |
Материал корпуса | марганец-цинк |
Технические характеристики М2000НМ-9 Ш4х4:
Начальная магнитная проницаемость | 2000 µнач |
Геометрические размеры М2000НМ-9 Ш4х4
Типоразмер | L (мм) | H (мм) | B (мм) | l0 (мм) | l1 (мм) | h (мм) |
---|---|---|---|---|---|---|
Ш 4 х 4 | 16,0 +0,50 | 8,0 +0,25 | 4,0 –0,50 | 4,0 –0,40 | 3,2 +0,50 | 5,2 +0,40 |
Эффективные параметры сердечников:
Типоразмер | Эффективная длина магнитного пути lе (мм) | Эффективное сечение Ае (мм2) | Эффективный объём сердечника Vе (мм3) | Масса комплекта (г), не более |
---|---|---|---|---|
Ш 4 х 4 | 34,5 | 19,3 | 666 | 3,33 |
Коэффициенты начальной индуктивности. Обозначение.
Марка феррита, типоразмер |
Коэффициент нач. индуктивности АL (нГн) |
Обозначение |
---|---|---|
1000НМ Ш 4 х 4 |
+25% 550 -30% |
М1000НМ – 10 Ш 4 х 4 II ФДГК.757131.005 ТУ |
1500НМ Ш 4 х 4 |
+25% 740 -30% |
М1500НМ – 8 Ш 4 х 4 II ФДГК.757131.005 ТУ |
1500НМ1 Ш 4 х 4 |
М1500НМ1 – 8 Ш 4 х 4 II ФДГК.757131.005 ТУ |
|
2000НМ Ш 4 х 4 |
+25% 890 -30% |
М2000НМ – 9 Ш 4 х 4 II ФДГК.757131.005 ТУ |
2000НМ1 Ш 4 х 4 |
М2000НМ1 – 14 Ш 4 х 4 II ФДГК.757131.005 ТУ |
Электромагнитные параметры марок 1000НМ, 1500НМ, 1500НМ1, 2000НМ, 2000НМ1**:
Марка феррита | Начальная магнитная проницаемость, µн |
Относительный тангенс угла магнитных потерь, tgdµ/µн x 103, не более |
||
---|---|---|---|---|
при частоте f (кГц) |
при амплитудном значении напряженности магнитного поля, Hа |
|||
0,8 А/м | 8 А/м | |||
1000НМ | 1000 ±200 | 100 | 15 | 45 |
1500НМ | 1500 ±300 | 100 | 15 | 45 |
1500НМ1 | ||||
2000НМ | +500 2000 -300 |
100 | 15 | 45 |
Отзывы
Отзывов пока нет.