Описание
ГТ905А
Транзисторы ГТ905А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в переключающих и импульсных усилительных устройствах, в выходных каскадах усилителей мощности низкой частоты.
Выпускаются в металлическом со стеклянными изоляторами 1Т905А и металлопластмассовом ГТ905А, ГТ905Б корпусах с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзисторов 1Т905А не более 4,5 г (с крепежным фланцем не более 6 г), ГТ905А, ГТ905Б не более 7 г.
Технические условия: СА3.365.015 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора ГТ905А:
• Структура: p-n-p
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 6 Вт;
• fгр — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 30 МГц;
• Uкбо проб — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 75 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА;
• h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 35…100;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 200 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,17 Ом;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 300 пс
Технические характеристики транзисторов 1Т905А, ГТ905А, ГТ905Б:
| Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max |
Т max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max |
IК. И. max |
UКЭ0 max | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max | h21Э | UКЭ нас. |
IКБО | IЭБО | IКЭR | f гp. | СК | СЭ | ||||
| А | А | В | В | B | Вт | В | мA | мА | мА | МГц | пФ | пФ | °С | °С | |||
| 1Т905А | p-n-p | 3 | 7 | 65 | 75 | — | 6 | 35…100 | <0,5 | <2 | <5 | — | >30 | <250 | <8000 | 85 | -60…+70 |
| ГТ905А | p-n-p | 3 | 7 | 65 | 75 | — | 6 | 35…100 | <0,5 | <2 | <5 | — | >30 | <200 | <8000 | 85 | -60…+70 |
| ГТ905Б | p-n-p | 3 | 7 | 65 | 60 | — | 6 | 35…100 | <0,5 | <2 | <5 | — | >30 | <200 | <8000 | 85 | -60…+70 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО— обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО— обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR — обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
• f гр — граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК — емкость коллекторного перехода.
• СЭ — емкость коллекторного перехода.
• ТП max — максимально допустимая температура перехода.
• Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.
Отзывы
Отзывов пока нет.