Описание

IRF820

Транзистор IRF820 является важным элементом в области электроники, предназначенным для управления и коммутации высоких напряжений и токов. Обладая передовыми технологиями и надежной конструкцией, IRF820 становится неотъемлемой частью в различных электронных устройствах, обеспечивая эффективное и точное управление потоком электронов.

Транзистор IRF820 обеспечивает стабильную работу в различных условиях и широком диапазоне температур. Таким образом, транзистор IRF820 объединяет в себе передовые технологии, надежность и высокую эффективность.

Основные технические параметры транзистора:

• Напряжение пробоя сток-исток (Vds): Обычно в диапазоне от 500 до 600 вольт.
• Максимальный дренажный ток (Id): Обычно в диапазоне от 2 до 5 ампер.
• Напряжение затвор-исток (Vgs): Обычно в диапазоне от ±20 до ±30 вольт.
• Ток затвора (Ig): Обычно незначителен при коммутации включения.
• Сопротивление включения (RDS(on)): Обычно в диапазоне от 0,8 до 1,2 Ом.
• Мощность транзистора (Pd): Обычно в диапазоне от 75 до 150 ватт, в зависимости от условий охлаждения.
• Температурный диапазон (Tj): Обычно от -55 до +175 градусов Цельсия.

Транзисторы IRF820 часто применяются в различных электронных устройствах, включая:

• Источники питания: IRF820 может использоваться в схемах коммутации и регулирования напряжения в источниках питания переменного и постоянного тока.
• Усилители звука: Транзисторы IRF820 могут быть использованы в усилителях звука для усиления аудиосигналов в различных устройствах, включая радиоприемники, усилители мощности и аудиоусилители.
• Коммутационные схемы: Из-за их высокой коммутационной способности и низкого сопротивления замыкания, транзисторы IRF820 могут использоваться в схемах управления высокочастотными коммутаторами и реле.
• Электронные стабилизаторы: Транзисторы IRF820 могут быть использованы в схемах стабилизаторов напряжения и тока для обеспечения стабильного питания в различных электронных устройствах.
• Источники света: В схемах управления светодиодами и другими источниками света транзисторы IRF820 могут использоваться для коммутации и управления яркостью и цветом света.

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

• V_CE: напряжение коллектор-эмиттер
• I_C: ток коллектора
• I_B: базовый ток V_BE: напряжение база-эмиттер
• h_FE: коэффициент усиления по току
• f_T: частота перехода
• P_tot: полная мощность
• V_CES: максимальное обратное напряжение коллектор-эмиттер (для IGBT)
• I_CM: максимальный коллекторный ток (для IGBT)
• V_GE: напряжение затвор-исток (для MOSFET)