Описание

ГТ703Б

Транзисторы германиевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные мощные. Предназначены для работы в схемах усилителей мощности низкой частоты.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе.

Масса транзистора не более 15 г.

Электрические параметры

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК = 3 А, IБ = 0,225 А не более — 0,6 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при IК = 3 А, IБ = 0,225 А не более — 1 В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ = 1 В, IЭ = 0,05 А:

Параметры транзистора ГТ703Б

Параметр	Обозначение	Условия	Значение
Аналог			2NU73




Структура			p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	P_K max,P^*_K,_τ_max,P^**_K,_и_max		15* Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	f_гр,f^*_h21б,f^**_h21э, f^***_max		≥0.01 МГц**




Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	U_{КБО проб.}U^*_{КЭR проб.}_.	0.05к	20 В




Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	U_{ЭБО проб.}		10 В




Максимально допустимый постоянный ток коллектора	I_{K max,} I^*_{К, и max}		3.5 А




Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	I_КБО, I^*_КЭ_R, I^**_КЭ_O		≤500 мкА




Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h_21э, h^*_21Э	1 в; 50 мА	50…100*








Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	r_{КЭ нас}, r*_{БЭ нас}		≤0.2 Ом