Описание
КТ819Г
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Транзисторы КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: КТ-28 (ТО-220).
Технические условия: аА0.336.189 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ819Г:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,5 Вт;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (0,1кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 15 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (40В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 12;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом
Технические характеристики транзисторов КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г:
| Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max |
Т max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max |
IК. И. max |
UКЭR max | UЭБ0 max | РК max (РК. Т. max) |
h21Э | UКЭ нас. |
IКБО | IЭБО | f гp. | КШ | СК | СЭ | |||||
| А | А | В | В | B | Вт | B | мА | мА | МГц | дБ | пФ | пФ | °С | °С | |||
| КТ819А | n-p-n | 10 | 15 | 40 | — | 5 | 1,5 (60) | >15 | <1 | — | 1 | >3 | — | <1000 | <2000 | 125 | -40…+100 |
| КТ819Б | n-p-n | 10 | 15 | 50 | — | 5 | 1,5 (60) | >20 | <2 | — | 1 | >3 | — | <1000 | <2000 | 125 | -40…+100 |
| КТ819В | n-p-n | 10 | 15 | 70 | — | 5 | 1,5 (60) | >15 | <2 | — | 1 | >3 | — | <1000 | <2000 | 125 | -40…+100 |
| КТ819Г | n-p-n | 10 | 15 | 100 | — | 5 | 1,5 (60) | >12 | <2 | — | 1 | >3 | — | <1000 | <2000 | 125 | -40…+100 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО— обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО— обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр — граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ — коэффициент шума транзистора.
• СК — емкость коллекторного перехода.
• СЭ — емкость коллекторного перехода.
• ТП max — максимально допустимая температура перехода.
• Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.
Отзывы
Отзывов пока нет.