Описание
ГТ328А
Транзисторы ГТ328А германиевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 180 МГц.
Предназначены для усиления сигналов в метровом диапазоне длин волн с автоматической регулировкой усиления.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип транзистора указывается на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
Технические условия: ПЖ0.336.018 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора ГТ328А:
• Структура: p-n-p
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 50 мВт;
• Fгр — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 400 МГц;
• Uкэr проб — Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В при 5кОм;
• Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,25 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА при 15 В;
• h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20…200 при 5В, 3мА;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 1,5 пФ при 5В;
• Кш — Коэффициент шума транзистора: не более 7 дБ на частоте 180 МГц;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 10 пс
Технические характеристики транзисторов ГТ328А, ГТ328Б, ГТ328В:
| Тип
транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП
max |
Т
max |
|||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК
max |
IК. И.
max |
UКЭR max
(UКЭ0 max) |
UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max
(РК. И.max) |
h21Э,
(h21э) |
UКЭ
нас. |
IКБО | f гp.
(f h21) |
КШ | СК | СЭ | ||||
| мА | мА | В | В | B | мВт | В | мкА | МГц | дБ | пФ | пФ | °С | °С | |||
| ГТ328А | p-n-p | 10 | — | 15 | 15 | 0,25 | 50 | 20…200 | — | 10 | 400 | 7 | 1,5 | 2,5 | 100 | -40…+55 |
| ГТ328Б | p-n-p | 10 | — | 15 | 15 | 0,25 | 50 | 40…200 | — | 10 | 300 | 7 | 1,5 | 5 | 100 | -40…+55 |
| ГТ328В | p-n-p | 10 | — | 15 | 15 | 0,25 | 50 | 10…50 | — | 10 | 300 | 7 | 1,5 | 5 | 100 | -40…+55 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. И. max — максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h21Э — коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО — обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• f гр — граничная частота коэффициента передачи тока.
• f h21 — предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
• КШ — коэффициент шума транзистора.
• СК — емкость коллекторного перехода.
• СЭ — емкость коллекторного перехода.
• ТП max — максимально допустимая температура перехода.
• Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.
Отзывы
Отзывов пока нет.