Топ-100 П216Б - Интернет магазин электронных компонентов (радиодетали).
Распродажа!

П216Б

14.00 

В наличии

Категория:

Описание

П216Б

Транзисторы П216Б германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указан на корпусе.
Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.
Технические условия: СИ3.365.017 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора П216Б:

• Структура транзистора: p-n-p
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт;
• fh21э — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц;
• Uкбо проб — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 35 В;
• Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1,5 мА;
• h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 10;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом

Технические характеристики транзисторов П216, П216А, П216Б, П216В, П216Г, П216Д:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С
max
Т
max

max
IК. И.
max
UКЭ0 max UКБ0 max UЭБ0 max РК max
(РК. Т. max)
h21Э UКЭ
нас.
IКБ IЭБО f гp. КШ СК СЭ
А А В В B Вт В мкА мкА МГц дБ пФ пФ °С °С
П216 p-n-p 7,5 40 40 15 (30) >18 0,75 0,5 40 0,1 85 -60…+70
П216А p-n-p 7,5 40 40 15 (30) 20…80 0,75 0,5 40 0,1 85 -60…+70
П216Б p-n-p 7,5 30 30 15 (24) >10 0,5 1,5 20 0,1 85 -60…+70
П216В p-n-p 7,5 30 30 15 (24) >30 0,5 2 20 0,1 85 -60…+70
П216Г p-n-p 7,5 50 50 15 (24) >5 0,5 2,5 50 0,1 85 -60…+70
П216Д p-n-p 7,5 50 50 15 (24) 15…30 0,5 2 20 0,1 85 -60…+70

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
РК. Т. max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
IКБО— обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
IЭБО— обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
f гр — граничная частота коэффициента передачи тока.
КШ — коэффициент шума транзистора.
СК — емкость коллекторного перехода.
СЭ — емкость коллекторного перехода.
ТП max — максимально допустимая температура перехода.
Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.

Отзывы

Отзывов пока нет.

Только зарегистрированные клиенты, купившие данный товар, могут публиковать отзывы.