Описание

КТ646В

Транзисторы КТ646В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты, импульсных и переключающих устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жестки ми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТ-27-2 (ТО-126).
Технические условия: аА0.336.334 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ646В:

• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 40 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (40В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 150… 340;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,06 Ом;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 120 пс