Описание
ГТ346Б
Транзисторы ГТ346Б германиевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частотах 800 и 200 МГц.
Предназначены для применения в селекторах телевизионных каналов метрового и дециметрового диапазонов длин волн с автоматической регулировкой усиления.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Технические условия: ПЖ0.336.021 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора ГТ346Б:
• Структура: p-n-p
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 50 мВт;
• Fгр — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 550 МГц;
• Uкбо проб — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,3 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА при 20 В;
• h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 10…150 при 5В, 3мА;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 1,3 пФ при 5В;
• Кш — Коэффициент шума транзистора: не более 8 дБ на частоте 800 МГц;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 5,5 пс
Технические характеристики транзисторов ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В:
Тип
транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП
max |
Т
max |
|||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IК
max |
IК. И.
max |
UКЭR max | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max | h21э | UКЭ
нас. |
IКБО | f гp. | КШ | СК | СЭ | ||||
мА | мА | B | В | В | мBт | В | мкА | МГц | дБ | пФ | пФ | °С | °С | |||
ГТ346А | p-n-p | 10 | — | 15 | 20 | 0,3 | 50 | 10…150 | — | 10 | 700 | 6 | 1,3 | — | 85 | -45…+55 |
ГТ346Б | p-n-p | 10 | — | 15 | 20 | 0,3 | 50 | 10…150 | — | 10 | 550 | 8 | 1,3 | — | 85 | -45…+55 |
ГТ346В | p-n-p | 10 | — | 15 | 20 | 0,3 | 50 | 15…150 | — | 10 | 550 | 7 | 1,3 | — | 85 | -45…+55 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h21Э — коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО — обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• f гр — граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ — коэффициент шума транзистора.
• СК — емкость коллекторного перехода.
• СЭ — емкость коллекторного перехода.
• ТП max — максимально допустимая температура перехода.
• Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.
Отзывы
Отзывов пока нет.