Описание
КТ801Б
Транзисторы кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в кадровой и строчной развертках, источниках вторичного электропитания.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» ЩЫ3.365.001ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ801Б:
Структура | npn |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 60 |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30…150 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 10 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 5 |
Корпус | ктю-3-9 |
Вес, г | 4 |
Основные параметры
Функциональный тип | биполярный |
Типоразмер корпуса | КТЮ-3-9 |
Фактическая маркировка | КТ801Б |
Габаритные размеры L*W*H | 15х40 |
Высота корпуса | 8 mm |
Длина выводов | 32 mm |
Покрытие выводов или контактов | Ni |
Технические характеристики транзисторов КТ801А, КТ801Б:
Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max |
Т max |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IК max |
IК. И. max |
UКЭR max | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max | h21Э | UКЭ нас. |
IКБО | IЭБО | f гp. | КШ | СК | СЭ | ||||
А | А | В | В | В | Вт | В | мА | мА | МГц | дБ | пФ | пФ | °С | °С | |||
КТ801А | n-p-n | 2 | — | 80 | — | 2,5 | 5 | 13…50 | 2 | — | 2 | 10 | — | — | — | 150 | -60…+85 |
КТ801Б | n-p-n | 2 | — | 60 | — | 2,5 | 5 | 30…150 | 2 | — | 2 | 10 | — | — | — | 150 | -60…+85 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭ0 max — макс. напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• UКБ0 max — макс. напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• РК. Т. max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО— обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО— обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр — граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК — емкость коллекторного перехода.
• КШ — коэффициент шума транзистора.
• СЭ — емкость коллекторного перехода.
• ТП max — максимально допустимая температура перехода.
• Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.
Отзывы
Отзывов пока нет.