Описание
ГТ703Б
Транзисторы германиевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные мощные. Предназначены для работы в схемах усилителей мощности низкой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 15 г.
Электрические параметры
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК = 3 А, IБ = 0,225 А не более — 0,6 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК = 3 А, IБ = 0,225 А не более — 1 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ = 1 В, IЭ = 0,05 А:
Параметры транзистора ГТ703Б
| Параметр | Обозначение | Условия | Значение | |
| Аналог | 2NU73 | |||
| Структура | p-n-p | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | 15* Вт | ||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | ≥0.01** МГц | ||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб. U*КЭR проб.. | 0.05к | 20 В | |
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб. | 10 В | ||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К, и max | 3.5 А | ||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | ≤500 мкА | ||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | 1 в; 50 мА |
50…100* |
|
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас | ≤0.2 Ом |
Отзывы
Отзывов пока нет.