Описание
КП103М
Транзисторы КП103Е, КП103Ж, КП103И, КП103К, КП103Л, КП103М кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТ-1-7 (ТО-18).
Технические условия: ТФ3.365.000 ТУ1.
Характеристики полевых транзисторов c p-n переходом и каналом p-типа
КП103Е, КП103Ж, КП103И, КП103К, КП103Л, КП103М:
| Тип
полевого транзистора |
Предельные значения параметров при Т=25°С | Значения параметров при Т=25°С | Т ОКР | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Р МАКС | UСИ МАКС | UЗС МАКС | UЗИ МАКС | IС МАКС | UЗИ ОТС | g22И | IЗ УТ | S | IС НАЧ | C11И | C12И | КШ | ||
| мВт | В | В | B | мА | В | мкСм | нА | мА/В | мА | пФ | пФ | дБ | °С | |
| КП103Е | 7 | 10 | 15 | — | — | 0,4…1,5 | <5 | 20 | 0,4…2,4 | 0,3…2,5 | <20 | <8 | 3 | -55…+85 |
| КП103Ж | 12 | 10 | 15 | — | — | 0,5…2,2 | <10 | 20 | 0,5…2,8 | 0,85…3,8 | <20 | <8 | 3 | -55…+85 |
| КП103И | 21 | 12 | 15 | — | — | 0,8…3 | <15 | 20 | 0,8…2,6 | 0,8…1,8 | <20 | <8 | 3 | -55…+85 |
| КП103К | 38 | 10 | 15 | — | — | 1,4…4 | <20 | 20 | 1,0…3,0 | 1…5,5 | <20 | <8 | 3 | -55…+85 |
| КП103Л | 66 | 12 | 17 | — | — | 2…6 | <40 | 20 | 1,8…3,8 | 1,8…6,6 | <20 | <8 | 3 | -55…+85 |
| КП103М | 120 | 10 | 17 | — | — | 2,8…7 | <70 | 20 | 1,3…4,4 | 3…12 | <20 | <8 | 3 | -55…+85 |
Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов:
• Р МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора.
• UСИ МАКС — максимально допустимое напряжение сток-исток.
• UЗС МАКС — максимально допустимое напряжение затвор-сток.
• UЗИ МАКС — максимально допустимое напряжение затвор-исток.
• IС МАКС — максимально допустимый ток стока полевого транзистора.
• UЗИ ОТС — напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
• g22И — активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком.
• IЗ УТ — ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.
• S — крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
• IС НАЧ — начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.
• C11И — входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.
• C12И — проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
• КШ — коэффициент шума транзистора.
• Т ОКР — температура окружающей среды.
Отзывы
Отзывов пока нет.