Описание
КТ117Б
Транзисторы КТ117Б кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные с базой n-типа.
Транзисторы КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г предназначены для применения в маломощных генераторах.
Выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе и этикетке.
Масса транзистора не более 0,45 г.
Тип корпуса: КТ1-7.
Технические условия: ТТ3.365.002 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ117Б:
• Структура транзистора: n-база
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;
• fmax — Максимальная частота генерации: 0,2 МГц;
• Uкбо проб — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 30 В;
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 0,65… 0,9
Технические характеристики транзисторов КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г:
| Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max |
Т max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IЭ max |
IЭ. И. max |
UКЭ0 max | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max | h21Э | UКЭ нас. |
IКБО | IЭБО | f гp. | КШ | СК | СЭ | ||||
| мА | А | В | В | В | мВт | В | мкА | мкА | МГц | дБ | пФ | пФ | °С | °С | |||
| КТ117А | n-база | 50 | 1 | — | 30 | 30 | 300 | 0,5…0,7 | — | — | 1 | >0,2 | — | — | — | 130 | -60…+125 |
| КТ117Б | n-база | 50 | 1 | — | 30 | 30 | 300 | 0,65…0,8 | — | — | 1 | >0,2 | — | — | — | 130 | -60…+125 |
| КТ117В | n-база | 50 | 1 | — | 30 | 30 | 300 | 0,5…0,7 | — | — | 1 | >0,2 | — | — | — | 130 | -60…+125 |
| КТ117Г | n-база | 50 | 1 | — | 30 | 30 | 300 | 0,65…0,8 | — | — | 1 | >0,2 | — | — | — | 130 | -60…+125 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО— обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО— обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр — граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ — коэффициент шума транзистора.
• СК — емкость коллекторного перехода.
• СЭ — емкость коллекторного перехода.
• ТП max — максимально допустимая температура перехода.
• Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.
Отзывы
Отзывов пока нет.