Описание

К1НТ251А

Транзисторная сборка 1НТ251А, состоящие из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключательных транзисторов.
Предназначена для применения в переключающих устройствах.
Выпускается в металлокерамических корпусах с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса сборки не более 0,4 г.
Тип корпуса: 401.14-6.
Технические условия: И93.456.000 ТУ.

Основные технические характеристики транзисторной сборки К1НТ251А:

• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 400 мВт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 45 В (1кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 800 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 6 мкА (45В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30…150;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1000 Ом