Топ-100 К511ПУ2 - Интернет магазин электронных компонентов (радиодетали).

К511ПУ2

7.20 

Категория:

Описание

К511ПУ2

Микросхема интегральная К511ПУ2 — преобразователь низкого уровня в высокий: два логических элемента 2И-НЕ и два логических элемента НЕ с расширением до И.

Содержат 46 интегральных элементов.

Климатическое исполнение УХЛ 5.1

Микросхемы соответствуют техническим условиям бКО.348.149 ТУ.

Микросхемы изготовлены на основе диодно-транзисторной логики по биполярной технологии с изоляцией p-n переходом, обладающей повышенными помехоустойчивостью и нагрузочной способностью и предназначенной для применения в системах числового программного управления станками.

Технические характеристики К511ПУ2:

  • Напряжение питания 15 V
  • Входной ток низкого уровня не более 1,33 mA; высокого уровня не более 0,005 mA
  • Ток потребления при высоком уровне не более 20 mA, при низком уровне не более 10 mA
  • Мощность не более 248 mW
  • Время задержки распространения при включении не более 150 ns; при выключении не более 300 ns
  • Выходное напряжение низкого уровня не менее 1,5 V; высокого уровня не менее 12 V
  • Рабочий диапазон температур от минус 45 до +70°С.
  • Относительная влажность воздуха при температуре +25°С может достигать 98%.

Основные параметры К511ПУ2:

Функциональный тип Преобразователь
Типоразмер корпуса DIP14
Типоразмер корпуса отечественный 201.14-8
Материал корпуса металлокерамика
Цвет изделия черный
Габаритные размеры L*W*H 20х8х9
Длина корпуса 20 mm
Ширина корпуса 6 mm
Высота корпуса 4 mm
Количество выводов или контактов 14

Назначение выводов микросхемы К511ПУ2:

Вывод

Назначение

Вывод

Назначение

1 вход X2 8 выход Y1
2 вход X1 9 вход X8
3 выход Y1 10 вход X7
4 вход X4 11 выход Y1
5 вход X3 12 вход X6
6 выход Y1 13 вход X5
7 общий 14 напряжение питания

Общие сведения микросхем серии K511

Микросхемы серии К511 представляют собой логические микросхемы диодно-транзисторной логики (ДТЛ), выполненные по полупроводниковой технологии с изоляцией д-л-переходом. В микросхемах данной серии вместо входных диодов используются транзисторы структуры р-п-р с объединенными эмиттерами и заземленными коллекторами. При этом нагрузочная способность микросхем возрастает и в наихудшем случае равна 10. Благодаря включению стабилитрона, выполняющего функцию, аналогичную смещающему диоду, достигается высокая помехоустойчивость микросхем.

Детали

Вес 2 г
Материал

Золото, Пластмасс

Отзывы

Отзывов пока нет.

Только зарегистрированные клиенты, купившие данный товар, могут публиковать отзывы.