Описание
К511ПУ2
Микросхема интегральная К511ПУ2 — преобразователь низкого уровня в высокий: два логических элемента 2И-НЕ и два логических элемента НЕ с расширением до И.
Содержат 46 интегральных элементов.
Климатическое исполнение УХЛ 5.1
Микросхемы соответствуют техническим условиям бКО.348.149 ТУ.
Микросхемы изготовлены на основе диодно-транзисторной логики по биполярной технологии с изоляцией p-n переходом, обладающей повышенными помехоустойчивостью и нагрузочной способностью и предназначенной для применения в системах числового программного управления станками.
Технические характеристики К511ПУ2:
- Напряжение питания 15 V
- Входной ток низкого уровня не более 1,33 mA; высокого уровня не более 0,005 mA
- Ток потребления при высоком уровне не более 20 mA, при низком уровне не более 10 mA
- Мощность не более 248 mW
- Время задержки распространения при включении не более 150 ns; при выключении не более 300 ns
- Выходное напряжение низкого уровня не менее 1,5 V; высокого уровня не менее 12 V
- Рабочий диапазон температур от минус 45 до +70°С.
- Относительная влажность воздуха при температуре +25°С может достигать 98%.
Основные параметры К511ПУ2:
Функциональный тип | Преобразователь |
Типоразмер корпуса | DIP14 |
Типоразмер корпуса отечественный | 201.14-8 |
Материал корпуса | металлокерамика |
Цвет изделия | черный |
Габаритные размеры L*W*H | 20х8х9 |
Длина корпуса | 20 mm |
Ширина корпуса | 6 mm |
Высота корпуса | 4 mm |
Количество выводов или контактов | 14 |
Назначение выводов микросхемы К511ПУ2:
Вывод |
Назначение |
Вывод |
Назначение |
1 | вход X2 | 8 | выход Y1 |
2 | вход X1 | 9 | вход X8 |
3 | выход Y1 | 10 | вход X7 |
4 | вход X4 | 11 | выход Y1 |
5 | вход X3 | 12 | вход X6 |
6 | выход Y1 | 13 | вход X5 |
7 | общий | 14 | напряжение питания |
Общие сведения микросхем серии K511
Микросхемы серии К511 представляют собой логические микросхемы диодно-транзисторной логики (ДТЛ), выполненные по полупроводниковой технологии с изоляцией д-л-переходом. В микросхемах данной серии вместо входных диодов используются транзисторы структуры р-п-р с объединенными эмиттерами и заземленными коллекторами. При этом нагрузочная способность микросхем возрастает и в наихудшем случае равна 10. Благодаря включению стабилитрона, выполняющего функцию, аналогичную смещающему диоду, достигается высокая помехоустойчивость микросхем.
Отзывы
Отзывов пока нет.