Описание
ГТ308А
Транзисторы ГТ308А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,2 г.
Технические условия: ЩП3.365.009 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора ГТ308А:
• Структура: p-n-p
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт
• Fгр — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 90 МГц
• Uкбо — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В
• Uэбо — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА
• h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20…75 (1В; 10мА)
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 8 (5В)
• Кш — Коэффициент шума транзистора: не нормируется
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 400 пс
Технические характеристики транзисторов ГТ308А, ГТ308Б, ГТ308В, ГТ308Г:
| Тип
транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | Т | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК
max |
IК. И.
max |
UКЭR max
(UКЭ0 max) |
UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max
(РК. И. max) |
h21Э,
(h21э) |
UКБ
(UКЭ) |
IЭ
(IК) |
UКЭ
нас. |
IКБО | fгp.
(f h21) |
КШ | СК | |||
| мА | мА | В | B | В | мВт | В | мА | В | мкА | МГц | дБ | пФ | °С | |||
| ГТ308А | p-n-p | 50 | 120 | (15) | 20 | 3 | 150 | 25…75 | 1 | 10 | 1,5 | 5 | 100 | — | 8 | -60…+70 |
| ГТ308Б | p-n-p | 50 | 120 | (15) | 20 | 3 | 150 | 50…120 | 1 | 10 | 1,2 | 5 | 120 | — | 8 | -60…+70 |
| ГТ308В | p-n-p | 50 | 120 | (15) | 20 | 3 | 150 | 80…150 | 1 | 10 | 1,2 | 5 | 120 | 8 | 8 | -60…+70 |
| ГТ308Г | p-n-p | 50 | 120 | (15) | 20 | 3 | 150 | 90…200 | 1 | 10 | 1,2 | 5 | 120 | — | 8 | -60…+70 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. И. max — максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h21Э — коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• UКБ — постоянное напряжение коллектор-база транзистора.
• UКЭ — постоянное напряжение коллектор-эмиттер транзистора.
• IЭ — постоянный ток эмиттера транзистора.
• IК — постоянный ток коллектора транзистора.
• UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБ0 — обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• fгр — граничная частота коэффициента передачи тока.
• fh21 — предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
• КШ — коэффициент шума транзистора.
• Т — максимально допустимая температура окружающей среды.
Отзывы
Отзывов пока нет.