Описание

ГТ402А

Транзисторы ГТ402А германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами в двух вариантах.
Тип прибора указывается на корпусе.

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора ГТ402А обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

Основные технические характеристики транзистора ГТ402А:

• Структура: p-n-p
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 400 мВт;
• fh21б — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц;
• Uкэr проб — Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 25 В при 0,2 кОм;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 500 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 20 мкА;
• h21э — Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 30…80

Технические характеристики транзисторов ГТ402А, ГТ402Б, ГТ402В, ГТ402Г:

Тип транзистора	Структура	Предельные значения параметров при Тп=25°С						Значения параметров при Тп=25°С								TП max	Т max
		IК max	IК. И. max	UКЭR max	UКБ0 max	UЭБ0 max	РК max	h21Э	UКЭ нас.	IКБО	IЭБО	f гp.	КШ	СК	СЭ	TП max	Т max
		А	А	В	В	В	Вт		В	мкА	мкА	МГц	дБ	пФ	пФ	°С	°С
ГТ402А	p-n-p	0,5	—	25	—	—	0,3	30…80	—	20	—	1	—	—	—	85	-40…+55
ГТ402Б	p-n-p	0,5	—	25	—	—	0,3	60…150	—	20	—	1	—	—	—	85	-40…+55
ГТ402В	p-n-p	0,5	—	40	—	—	0,3	30…80	—	20	—	1	—	—	—	85	-40…+55
ГТ402Г	p-n-p	0,5	—	40	—	—	0,3	60…150	—	20	—	1	—	—	—	85	-40…+55

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО— обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО— обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр — граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ — коэффициент шума транзистора.
• СК — емкость коллекторного перехода.
• СЭ — емкость коллекторного перехода.
• ТП max — максимально допустимая температура перехода.
• Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.